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铝碳化硅材料(AlSiC)的功率微波封装体

铝碳化硅(AlSiC)材料微波载波片铝碳化硅材料是微波封装的理想材料,在功率微波以及单片微波集成电路方面的应用已经有超过30年的历史。

铝碳化硅材料的热膨胀系数(CTE)为7~8ppm/℃,良好兼容微波器件,封装时不需要进行热应力补偿设计,同时,因为省掉热应力补偿过度层的使用,也使模块的总体散热能力得以加强。

铝碳化硅材料产品的重量是同形状体积铜产品的1/3,钼铜产品的1/5,钨铜产品的1/6,结合铝碳化硅的高比刚度性能,使铝铝碳化硅(AlSiC)射频发射器基座碳化硅封装的微波模块在航空、航天等对重量、可靠性敏感的领域得到认可,同时,也使铝碳化硅材料封装的微波模块能更为良好地工作于振动等恶劣工作环境。

铝碳化硅材料成本相对于钼铜、钨铜要低,异形件的成形能力、大型件的成形能力等方面也要远优于钼铜和钨铜。

铝碳化硅材料质地致密,是一种达到军工气密性要求( 1 x 10-9  Atm-cm3/s )的材料。用于气密封装时,为方便使用传统工艺封盖,通常会在铝碳化硅管壳内侧铝碳化硅(AlSiC)信通编解码器衬底搭接其它金属材料的焊接环。相关情况请咨询公司技术人员。


铝碳化硅(AlSiC)材料优势:

  • 陶瓷的热膨胀系数,完美匹配芯片;
  • 超越钨铜和铝合金的热导率;
  • 铸铁的强度与45号钢的韧性;
  • 铝一样轻,比钛合金轻一半;

铝碳化硅早期应用于美军机雷达芯片衬底,用于替代钨铜。替代后散热效果优异,并且使雷达整体减重10公斤,这使铝碳化硅材料得到重视。

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